SILICON POWER SSD US75 500GB M.2 PCIe NVMe Gen4x4 NVMe 1.4 7000/4400MB/s

Name: SILICON POWER SSD US75 500GB M.2 PCIe NVMe Gen4x4 NVMe 1.4 7000/4400MB/s
Brand: Silicon Power
SKU: 643569
Price: 248.00 PLN
Availability: OutOfStock

Darmowa wysyłka od 100 PLN

248 zł
Cena netto: 201,63 zł

SKU: SP500GBP44US7505

Ilość sztuk w magazynie: brak

Czasowo niedostępny

Zapytaj o dostępność

Producent: Silicon Power

Gwarancja: gwarancja producenta

Wydrukuj ulotkę:

Dodaj produkt do ulubionych!

SILICON POWER SSD dostępny jest na indywidualne zamówienie. Zapytaj o termin dostawy

DODAJ DO KOSZYKA

Dodaj do ulubionych!
Zapytaj o produkt

Specyfikacja
Zapytanie o produkt

Specyfikacja

Marketing Description
Dysk półprzewodnikowy SILICON POWER US75 to rozwiązanie dla użytkowników, którzy chcą poprawić swoje wrażenia z pracy z komputerem dzięki szybszemu dostępowi do danych, lepszej responsywności systemu i niezawodnej wydajności. Dzięki interfejsowi PCI Express 4.0 x4 (NVMe), ten wewnętrzny dysk twardy osiąga wewnętrzną szybkość transmisji danych do 7000 MBps, dzięki czemu nadaje się do intensywnych aplikacji i wielozadaniowości. Dzięki zastosowaniu technologii 3D NAND, US75 nie tylko oferuje zwiększoną pojemność, ale także zapewnia wydajność i trwałość, wydłużając żywotność dysku. Został on zaprojektowany tak, aby wytrzymać szeroki zakres temperatur pracy, od 0 °C do 70 °C, a jego tolerancja na przyspieszenie wstrząsów wynosi 1500 g, co podkreśla jego wytrzymałość. Co więcej, dzięki imponującemu współczynnikowi MTBF wynoszącemu 1 500 000 godzin, użytkownicy mogą zaufać US75 w zakresie długoterminowej niezawodności. Niezależnie od tego, czy chodzi o zastosowania osobiste, czy profesjonalne, dysk półprzewodnikowy SILICON POWER US75 jest doskonałym wyborem do modernizacji systemu.
Product Features
Szybka wydajność Wyposażony w interfejs PCI Express 4.0 x4 (NVMe), dysk półprzewodnikowy SILICON POWER US75 zapewnia imponującą wewnętrzną szybkość przesyłania danych do 7000 MBps, zapewniając szybki dostęp do danych i prędkości transferu dla wydajnej pracy obliczeniowej. Wytrzymała konstrukcja Dysk US75 charakteryzuje się wytrzymałą konstrukcją z tolerancją na przyspieszenie wstrząsów wynoszącą 1500 g i średnim czasem międzyawaryjnym MTBF (Mean Time Between Failures) wynoszącym 1 500 000 godzin, zapewniając użytkownikom niezawodność i spokój ducha. Szeroki zakres temperatur Zaprojektowany do pracy w szerokim zakresie temperatur od 0 °C do 70 °C, ten dysk półprzewodnikowy nadaje się do różnych środowisk komputerowych, zapewniając stałą wydajność. Zaawansowana technologia Wyposażony w technologię 3D NAND, dysk SILICON POWER US75 oferuje zwiększoną trwałość, wydajność i wyższą pojemność, co czyni go doskonałym wyborem do modernizacji systemu.
Ogólne
Rodzaj urządzenia	SSD - wewnętrzny
Pojemność	500 GB
Rodzaj obudowy	M.2 2280
Interfejs	PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Cechy	3D NAND Technology
Szerokość	22 mm
Głębokość	80 mm
Wysokość	3.6 mm
Waga	8 g
Wydajność
Szybkość wewnętrzna danych	7000 MBps (odczyt) / 4400 MBps (zapis)
Niezawodność
MTBF	1,500,000 godziny
Rozszerzenie i łączność
Interfejsy	1 x PCI Express 4.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka	M.2 2280
Oprogramowanie & Wymagania systemowe
Dołączone oprogramowanie	Skrzynka na narzędzia SP (do pobrania za darmo)
Różne
Zgodność z normami	BSMI, FCC, RoHS, KCC, WEEE, Green Dot, EAC, UKCA
Gwarancja producenta
Obsługa i wsparcie	Gwarancja ograniczona - 5 lat
Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy	0 °C
Maksymalna temperatura pracy	70 °C
Odporność na wstrząsy (podczas pracy)	1500 g @ 0,5 ms