635 zł
Cena netto: 516,26 zł
Cena netto: 516,26 zł
SKU: MZ-V9S2T0BW
Ilość sztuk w magazynie: brak
Prosimy o kontakt
Producent: Samsung
Gwarancja: gwarancja producenta
Dysk SAMSUNG SSD dostępny jest na indywidualne zamówienie. Zapytaj o termin dostawy
Galeria
Specyfikacja
| Marketing Description | |
| Samsung 990 EVO Plus to potężny wewnętrzny dysk półprzewodnikowy zaprojektowany w celu zwiększenia wydajności pamięci masowej o pojemności 2 TB. Wyposażony w technologię Samsung V-NAND TLC, dysk ten zapewnia szybki transfer danych z wewnętrzną prędkością danych 7250 MBps i prędkością zapisu 6300 MBps, umożliwiając płynne działanie wymagających aplikacji i zarządzanie dużymi plikami. Dzięki obsłudze interfejsów PCI Express 4.0 i 5.0, dysk spełnia różne wymagania systemowe, oferując jednocześnie szybkość i niezawodność. Dzięki zaawansowanym funkcjom, takim jak inteligentna technologia TurboWrite i algorytm automatycznego odśmiecania, dysk Samsung 990 EVO Plus zachowuje wydajność i trwałość nawet przy dużym obciążeniu. Odporność na wstrząsy i wibracje do 1500 g oraz zakres temperatur od -40°C do 85°C sprawiają, że nadaje się on zarówno do środowisk konsumenckich, jak i profesjonalnych. Ten dysk SSD zapewnia szybki dostęp do danych i zapewnia szyfrowanie sprzętowe w celu zwiększenia bezpieczeństwa, co czyni go idealnym wyborem dla użytkowników, którzy chcą zwiększyć wydajność systemu. | |
| Product Features | |
|
|
| Ogólne | |
| Rodzaj urządzenia | SSD - wewnętrzny |
| Pojemność | 2 TB |
| Kodowanie sprzętu | Tak |
| Algorytm kodowania | 256 bitów AES |
| Typ pamięci NAND | Komórka trzypoziomowa (TLC) |
| Rodzaj obudowy | M.2 2280 |
| Interfejs | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Cechy | Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, obsługa Usypiania Urządzenia, Host Memory Buffer (HMB), wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667 |
| Szerokość | 22.15 mm |
| Głębokość | 80.15 mm |
| Wysokość | 2.38 mm |
| Waga | 9 g |
| Wydajność | |
| Szybkość wewnętrzna danych | 7250 MBps (odczyt) / 6300 MBps (zapis) |
| Maksymalny zapis losowy 4KB | 1350000 IOPS |
| Maks. odczyt losowy 4KB | 1000000 IOPS |
| Niezawodność | |
| MTBF | 1.500.000 godziny |
| Rozszerzenie i łączność | |
| Kompatybilna Wnęka | M.2 2280 |
| Zasilanie | |
| Zużycie energii | 4.6 wat (odczyt) 4.2 wat (zapis) 60 mW (tryb czuwania) 5 mW (stan uśpienia) |
| Oprogramowanie & Wymagania systemowe | |
| Dołączone oprogramowanie | Samsung Magician Software |
| Różne | |
| Rodzaj obudowy | Powłoka niklowa |
| Gwarancja producenta | |
| Obsługa i wsparcie | Gwarancja ograniczona - 5 lat / 1200 TBW |
| Parametry środowiska | |
| Minimalna temperatura pracy | 0 °C |
| Maksymalna temperatura pracy | 70 °C |
| Odporność na wstrząsy (w stanie spoczynku) | 1500 g @ 0,5 ms |
| Odporność na drgania (w stanie spoczynku) | 20 g @ 20-2000 Hz |
Informacje Handlowe
| Kod producenta | MZ-V9S2T0BW |
| Dane producenta | 129 Samsungno, Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 16677, Korea Południowa Numer telefonu: +82 2 2255 0114 Strona internetowa: www.samsung.com |
| Podmiot odpowiedzialny | Samsung Electronics Polska Sp. z o.o. ul. Postępu 14, 02-674 Warszawa, Polska Numer telefonu: 801-172-678 Strona internetowa: www.samsung.com/pl E-mail: support@samsung.com |
| Pomoc techniczna | https://www.samsung.com/pl/support/ |







